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Diodo emissor de luz plano Superconducting Sapphire Wafer Crystal In de A um tamanho de 3 polegadas

Diodo emissor de luz plano Superconducting Sapphire Wafer Crystal In de A um tamanho de 3 polegadas

Detalhes do produto

Lugar de origem: Chongqing, China

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 25PCS

Preço: 15USD-50USD

Detalhes da embalagem: gaveta

Tempo de entrega: 2-4weeks

Termos de pagamento: T/T, Western Union

Habilidade da fonte: 10000pcs pelo mês

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Especificações
Destacar:

Um diodo emissor de luz Sapphire Wafer do plano

,

diodo emissor de luz Sapphire Wafer de 3 polegadas

,

3 polegadas conduziram a carcaça

Material:
Safira
Método de crescimento:
KY
Uso:
Diodo emissor de luz
OEM:
Sim
Porto da entrega:
chongqing
Tempo de entrega:
De acordo com a quantidade
Embalagem:
Embalado a vácuo na caixa ou em umas gavetas de uma peça só de Entegris de 25
Pureza da safira:
99,99%
Orientação:
Plano de C, um plano
Material:
Safira
Método de crescimento:
KY
Uso:
Diodo emissor de luz
OEM:
Sim
Porto da entrega:
chongqing
Tempo de entrega:
De acordo com a quantidade
Embalagem:
Embalado a vácuo na caixa ou em umas gavetas de uma peça só de Entegris de 25
Pureza da safira:
99,99%
Orientação:
Plano de C, um plano
Descrição
Diodo emissor de luz plano Superconducting Sapphire Wafer Crystal In de A um tamanho de 3 polegadas

Único diodo emissor de luz lustrado lateral Sapphire Substrate In um tamanho de 3 polegadas

 

Cristal da safira (safira, igualmente conhecida como a safira branca, a fórmula molecular Al2O3) o único é um material multifuncional excelente. Tem a resistência de alta temperatura, a boa condutibilidade térmica, a transmissão alta do dureza, a infravermelha e a boa estabilidade química. Amplamente utilizado no muitos campos da indústria, da defesa nacional e da pesquisa científica (tais como janelas infravermelhas de alta temperatura, etc.). Ao mesmo tempo, é igualmente um único material de cristal amplamente utilizado da carcaça, e é a primeira escolha para o azul, violeta, e o diodo luminescente branco (diodo emissor de luz) e do laser do azul indústrias (LD) (a carcaça da safira precisa de ser filme epitaxial do nitreto do gálio primeiramente), são igualmente uma carcaça superconducting importante do filme.

 

Geralmente, as camadas epitaxial de materiais GaN-baseados e os dispositivos são crescidos principalmente em carcaças da safira. A carcaça da safira tem muitas vantagens: em primeiro lugar, a tecnologia de produção da carcaça da safira é madura e a qualidade do dispositivo é boa; em segundo lugar, a safira é muito estável e pode ser usada no processo de alta temperatura do crescimento; finalmente, a safira tem a força mecânica alta e é fácil de segurar e limpeza. Consequentemente, a maioria dos processos de safira do uso geralmente como a carcaça.

 

A carcaça da safira do C-plano é usada para crescer III-V e o grupo de II-VI depositou filmes, tais como o nitreto do gálio, que pode produzir produtos azuis do diodo emissor de luz, diodos láser, e as aplicações infravermelhas do detector. Isto é principalmente porque o processo do crescimento de cristal de safira ao longo da linha central de C é maduro, o custo é relativamente baixo, e as propriedades físicas e químicas são estáveis. A tecnologia para o crescimento epitaxial na superfície de C é madura e estável. A linha central de C tem o brilho de cristal, e os outros machados têm o brilho negativo; o plano de C é liso e é o melhor cortar.

 

Bolacha da safira do R-plano


Os cristais externamente crescidos diferentemente depositados do silicone crescidos na carcaça são usados em circuitos integrados microeletrónicos. Além, em processo do crescimento do silicone e da formação epitaxial do filme, os circuitos integrados e os sensores de alta velocidade da pressão podem igualmente ser formados. o R-tipo crescimento da carcaça pode igualmente ser usado na produção de montes, de outros componentes superconducting, de resistores da alto-resistência, e de arsenieto de gálio. Levemente mais difícil cortar do que um plano.

 

Diodo emissor de luz plano Superconducting Sapphire Wafer Crystal In de A um tamanho de 3 polegadas 0
 

Exigências de Produc da bolacha da safira de 2 polegadas

 

O produto especificou será fabricado nisto dos cristais de safira óticos de alta qualidade da categoria.

Parâmetro Especificação
Crystal Orientation miscut da C-linha central (0001) a M
Mis-orientação para o laser Mark 0.2° fora da linha central do ± 0.1°Towards M da linha central
Orientação do Mis para o plano preliminar 0°± 0.15°
Diâmetro ± 0.10mm de 76.2mm
Espessura 430um ± 15um
Lugar liso da orientação ± 0.2° da Um-linha central
Major Flat Length 16.0mm± 1.0mm
Revestimento de superfície Epi lustrou um lado, Ra<0>
Superfície traseira 0.8~1.2um
Condição da borda Defeito de borda para não exceder SEMI M3-91, tabela 2
TTV < 5um="">
LTV <2um>
Curva -10~ 0 um
Urdidura < 10um="">
Identificação da bolacha Nenhum
Limpeza Nenhuma contaminação visual
Empacotamento Carcaças a ser empacotadas em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas embalados a vácuo de 25pcs.


FQA
 

1. São você uma empresa comercial ou a fábrica?

Nós somos uma fábrica profissional de produtos da safira, também uma empresa comercial.

 

2.Can você para fazer produtos personalizados?

Sim, nós especializamo-nos na produção personalizada ou no trabalho do OEM.

O CAD, desenho 3D é necessário.

 

3.Could você fornece amostras?

Sim, nós poderíamos fornecer amostras uma carga, mas se você coloca a ordem com uma qualidade acima de 100pcs, a carga da amostra será reembolsada.

 

4.What é o prazo de entrega?

Depende do tipo de produtos e da qualidade.

Para a caixa de relógio, o tempo regular é ao redor 5-8 semanas para 200pcs de acordo com a dificuldade do processamento.

 

5.How sobre o pagamento?

O pagamento de T/T é preferido.

 

6.How sobre a entrega?

Na maior parte pelo ar, como DHL, Fedex.

 

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